PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S0,8Te0,2) DAN Sn(S0,6Te0,4) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL DETERMINATION OF BAND GAP AND CONDUCTIVITY OF Sn(S0,8Te0,2) AND Sn(S0,6Te0,4) SEMICONDUCTOR THIN FILM MATERIALS PREPARED USING THERMAL EVAPORATION TECHNIQUE

Abstract

Abstrak

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui besarnya band gap dan konduktivitas bahan semikonduktor lapisan tipis Sn(S_0,8Te_0,2) dan Sn(S_0,6Te_0,4) hasil preparasi dengan teknik evaporasi termal. Penelitian ini dimulai dari pembuatan lapisan tipis Sn(S_0,8Te_0,2) dan Sn(S_0,6Te_0,4) menggunakan metode evaporasi termal pada tekanan 2x10^-5 mbar. Hasil ujiUV-Vis yang diolah menggunakan metode taue plot dengan bantuan software Ms. Origin 50 diperoleh band gap lapisan tipis Sn(S_0,8 Te_0,2) sebesar 1,25 eV dan band gap lapisan tipis Sn(S_0,6 Te_0,4)  sebesar 0,85 eV. Hasil uji sifat listrik menggunakan FPP menunjukan nilai konduktivitas untuk sampel Sn(S_0,8Te_0,2)  yang dibuat pada spacer 10 cm sebesar 12,739 (Ω.cm)^-1 . spacer 15 cm nilai konduktivitasnya sebesar 0,545 (Ω.cm)^-1. Untuk spacer 25 cm nilai konduktivitasnya sebesar 1,721 (Ω.cm)^-1. sampel Sn(S_0,6Te_0,4) suhu 250°C nilai konduktivitasnya sebesar 0,536 (Ω.cm)^-1. suhu 300°C nilai konduktivitasnya sebesar 0,543 (Ω.cm)^-1. suhu 350°C nilai konduktivitasnya sebesar 1,269 (Ω.cm)^-1 dan tipe konduksi dari lapisan yang dibuat adalah tipe P.

Kata Kunci: band gap, konduktivitas, evaporasi,tipe P

Abstract                       

The aims of this research are to determine the band gap and the conductivity of Sn(S_0,8Te_0,2) and Sn(S_0,6Te_0,4) semiconductor thin film materials prepared by using thermal evaporation techniques. This research is initiated by fabrication of Sn(S_0,8Te_0,2) and Sn(S_0,6Te_0,4) thin film on glass substrate by using thermal evaporation techniques. at 2 × 10^-5 mbar of pressure. UV-Vis result then analyzed using taue plot method and Ms. Origin 50 software, it’s found that the band gap of Sn(S_0,8 Te_0,2) thin film is 1.25 eV and 0.85 eV for Sn(S_0,6 Te_0,4) thin film. Electrical characterisation, it’s found that the conductivity of Sn(S_0,8Te_0,2) thin film are 12.739 (Ω.cm)^-1, 0.545 (Ω.cm)^-1, 1.721 (Ω.cm)^-1 for spacer of 10 cm, 15 cm and 25 cm.respectively. For 250°C, 300°C and 350°C of temperature the conductivity are 0,536 (Ω.cm)^-1, 0,543 (Ω.cm)^-1, and 1,269 (Ω.cm)^-1 respectivety and the type of thin film is P type.

Keywords: band gap, conductivity, evaporation, P type