STRUKTUR, KOMPOSISI KIMIA, DAN MORFOLOGI PERMUKAAN BAHAN SEMIKONDUKTOR PADUAN Sn(Se0,4Te0,6) DENGAN VARIASI LAMA PEMANASAN HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN STRUCTURE, COMPOSITION OF CHEMICAL, AND MORPHOLOGY SURFACE SEMICONDUCTOR MATERIALS Sn(Se0,4Te0,6) WITH LONG VARIATION OF PREPARATION RESULTS WITH BRIDGMAN TECHNIQUES

Abstract

Abstrak

Tujuan dari penelitian ini adalah untuk mengetahui struktur, komposisi kimia, dan morfologi permukaan dari bahan semikonduktorSn(Se_0,4Te_0,6). Variasi yang digunakan dalam penelitian ini adalah lama waktu pemanasannya. Proses penumbuhan kristal dilakukan dengan teknik Bridgman yaitu dengan memanaskan bahan Sn, Se, dan Te yang memilikiperbandingan molaritasnya sebesar1 : 0,4 : 0,6. Pemanasan bahan semikonduktor Sn(Se_0,4Te_0,6) dilakukan dengan lama waktu pemanasan untuk sampel 1 selama 15 jam, untuk sampel 2 selama 17 jam, untuk sampel 3 selama 21 jam, dan untuk sampel 4 selama 23 jam. Pemanasan kristal dilakukan dengan dua suhu yaitu 300˚C dan 600˚C. Kristal hasil preparasi kemudian dikarakterisasi menggunakan X-Ray Diffraction, Scanning Electron Microscopy dan EnergyDispersive Analysis of X-Ray.Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa kristal bahan semikonduktor Sn(Se_0,4Te_0,6) yang terbentuk memiliki struktur kubik, dengan parameter kisi untuk alur pemanasan sampel 1 adalah a = 6,3104 Å,alur pemanasan sampel 2 diperoleh parameter kisi a =6,2892 Å, alur pemanasan sampel 3 diperoleh parameter kisi a =6,2684Å, dan alur pemanasan untuk sampel 4 diperoleh parameter kisi a =6,2684 Å.Berdasarkan hasil XRD, sampel 1 menunjukkan intensitas yang paling tinggi dapat dilihat dari hasil difraktogramdan nilai parameter kisi yang lebih dekat dengan JCPDS SnTe. Hasil EDAX sampel 1 diperoleh perbandingan mol Sn, Se, dan Te adalah 1 : 0,4 : 0,6.

Kata kunci: Struktur Kristal, Morfologi dan Komposisi Kimia, Metode Bridgman, Karakterisasi (XRD, SEM, EDAX), dan Kristal Sn(Se_0,4Te_0,6).

Abstract

               The purpose of this research is to know the structure, chemical composition, and surface morphology of semiconductor Sn(Se_0,4Te_0,6). The variation used in this research is the duration of heating time. The process of crystal growth is done by Bridgman technique by heating the material Sn, Se, and Te which has a molarity ratio of 1: 0.4: 0.6. The heating of the semiconducting material Sn(Se_0,4Te_0,6) was carried out with the heating time for sample 1 for 15 hours, for sample 2 for 17 hours, for sample 3 for 21 hours, and for sample 4 for 23 hours. The crystal heating is carried out with two temperatures of 300˚C and 600˚C. The resultant crystals were then characterized using X-Ray Diffraction, Scanning Electron Microscopy and Energy Dispersive Analysis of X-Ray. The result of XRD characterization shows that the crystalline of the semiconductor material Sn(Se_0,4Te_0,6) formed has a cubic structure, with the lattice parameter for the sample heating flow 1 is a = 6,3104 Å, the sample heating grid 2 obtained lattice parameter a = 6,2892 Å, sample 3 heating flow obtained lattice parameter a = 6,2684 Å, and heating flow for sample 4 obtained lattice parameter a = 6,2684 Å. Based on XRD results, sample 1 shows the highest intensity can be seen from the result of diffractogram and lattice parameter values closer to JCPDS SnTe. Results of EDAX sample 1 obtained the mole ratio Sn, Se, and Te are 1: 0.4: 0.6.

Keywords: Crystal Structure, Morphology and Chemical Composition, Bridgman Method, Characterization (XRD, SEM, EDAX), and Crystal Sn(Se_0,4Te_0,6).