PREPARASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS Sn(S0,5Te0,5) DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF THIN FILM Sn(S0,5 Te0,5) WITH VACUM EVAPORATION TECNIQUES

Abstract

Abstrak

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh suhu substrat terhadap kualitas lapisan tipis Sn(S_0,5Te_,5), mengetahui struktur kristal, parameter kisi, morfologi permukaan dan komposisi kimia lapisan tipis Sn(S_0,5Te_,5) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum.Proses penumbuhan kristal lapisan tipis Sn(S_0,5Te_,5) menggunakan teknik evaporasi vakum dilakukan dengan memanaskan bahan Sn, S, dan Te pada suhu tertentu dengan perbandingan molaritas 1:0,5:0,5. Dalam penelitian ini, penumbuhan kristal lapisan tipis Sn(S_0,5Te_,5) dengan memvariasikan suhu substrat, yaitu 350^oC, 450^oC, 500^oC, dan 600^oC. Lapisan tipis Sn(S_0,5Te_,5) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum kemudian dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk menentukan struktur kristal dan parameter kisi kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan kristal, dan EDS (Energy Dispersive Spectrometry) untuk mengetahui komposisi kimia pada kristal.Hasil karakterisasi XRD berupa difaktogram menunjukkan hasil bahwa kristal pada lapisan tipis Sn(S_0,5Te_,5) yang terbentuk berstruktur kubik, dengan nilai parameter kisi pada sampel 1 a = 6,071 Å, sampel 2 a = 6,108 Å, sampel 3 a= 6,497 Å, dan untuk sampel 4 amofr. Hasil karakterisasi SEM memperlihatkan bahwa kristal pada lapisan tipis Sn(S_0,5Te_,5) yang terbentuk memiliki keseragaman bentuk dan warna butiran kecil-kecil serta sudah terbentuk grain dan hasil karakterisasi EDS diperoleh perbandingan unsur Sn:S:Te yaitu 1 : 0,25 : 0,51.

Kata kunci: struktur kristal, lapisan tipis, teknik evaporasi vakum, preparasi

Abstract

This reserch aims to determine the effect of heating subtrate temperature on the quality of Sn(S_0.5Te_0.5), the crystal structure, lattice parameter,surface morphology and chemical composition of the Sn(S_0.5Te_0.5) thin film by vacuum evaporation technique.The crystal growwing process of Sn(S_0,5Te_0,5) thin film by vacuum evaporation technique was done by heating the material at a certain temperature and molarity 1: 0.5: 0.5 comparison. In this research, the process of growing crystals of the Sn(S_0.5Te_0.5) thin film with the variation of subtrate temperature are 350^oC, 450^oC, 500^oC, and 600^oC. The result of thin film preparation by vacuum evaporation technique is characterized by XRD (X-Ray Diffaction) to determine crystal structure, SEM (Scanning Electron Microscopy) to dertermine the crystal surface morphology, and  EDS (Energy Dispersive Spectrometry) to the determine chemical composition of crystals.The result of XRD characterization shows that diffractogram  from crystalline of the Sn(S_0.5Te_0.5) thin film have cubic crystal structure with the values of lattice parameter, on sample 1 a = 6.071 Å, sample 2 6.108 Å, sample 3 a = 6.497 Å, and for the sample 4 amofr. The result of SEM characterization shows that the crystalline of Sn(S_0.5Te_0.5) thin film that formed has the pieces of grains and homogeneous and the results of EDS characterization obtained Sn:S:Te molarity ratio is 1:0.25:0.51.

Key words : crystal structure, thin film, vacuum evaporation technique, preparation