Crystal Structure and Surface Model of Semiconductor Cd (S0,5 Te0,5) Preparation Result with Bridgman Method in Various Variations of Heating Variation

Abstract

Abstrak Tujuan penelitian ini adalah untuk mengetahui proses penumbuhan kristal Cd(S0,5 Te0,5) dengan metode Bridgman, mengetahui pengaruh alur pemanasan terhadap struktur kristal dan parameter kisi kristal yang terbentuk, serta mengetahui pengaruh alur pemanasan terhadap morfologi permukaan dan komposisi kimia bahan semikonduktor Cd(S0,5 Te0,5) yang terbentuk. Proses penumbuhan kristal menggunakan metode Bridgman dilakukan dengan memanaskan bahan Cd, S dan Te pada tiga variasi alur pemanasan. Kristal hasil preparasi dengan teknik Bridgman kemudian dikarakterisasi menggunakan X-Ray Diffraction, Scanning Electron Microscopy, dan Energy Dispersive Analysis X-Ray. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa alur pemanasan tidak mempengaruhi kristal Cd(S0,5 Te0,5) yang terbentuk yaitu polikristal dengan struktur hexagonal dan parameter kisi kristal Cd(S0,5 Te0,5) memiliki nilai yang hampir sama dari ketiga sampel. Analisis karakterisasi SEM menunjukkan bahwa alur pemanasan mempengaruhi morfologi permukaan dan komposisi kimia dari kristal Cd(S0,5 Te0,5). Kata kunci: Semikonduktor Cd(S0,5 Te0,5) Abstract The purpose of this research is to know the process of crystal growth of Cd (S0,5 Te0,5) with Bridgman method, to know the effect of heating flow to crystal structure and crystal lattice parameters, and to know the influence of heating flow to surface morphology and chemical composition of Cd semiconductor material (S0.5 Te0.5) formed. The process of crystal growth using Bridgman method is done by heating the material Cd, S and Te on three variations of heating flow. Bridgman's preparation crystals were then characterized using X-Ray Diffraction, Scanning Electron Microscopy, and Energy Dispersive Analysis X-Ray. The XRD characterization results show that the heating flow does not affect the crystalline Cd (S0.5 Te0.5) formed ie the polycrystalline with hexagonal structure and the crystal lattice parameter of Cd (S0.5 Te0.5)) has almost the same value of the three samples. SEM characterization analysis showed that the heating flow affected the surface morphology and chemical composition of the Cd crystals Cd (S0.5 Te0.5). Keyword : Semiconductors Cd(S0,5 Te0,5)