PENGARUH VARIASI SPACER TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,6Te0,4) DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM

Abstract

Abstrak Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh spacer terhadap kualitas lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) dan karakteristik kristal lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) yang dihasilkan melalui teknik evaporasi vakum. Teknik evaporasi vakum digunakan pada proses penumbuhan lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) dengan tekanan 10-5 mbar. Variasi spacer pada evaporator sebesar 10 cm, 15 cm, dan 25 cm diterapkan pada proses penumbuhan lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4). Lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) yang diperoleh dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal dan parameter kisi, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaaan dan EDAX (Energi Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4). Hasil yang diperoleh memperlihatkan sampel memiliki struktur kristalorthorombik, dengan nilai parameter kisi sebagai berikut: variasi spacer 10 cm a=11,89Å, b= 4,52Å, c= 4,4Å; variasi spacer 15 cm, a= 11,89Å, b=4,29Å, c= 4,51Å; dan variasi spacer 25 cm, a=11,62Å, b= 4,57Å, c= 4,64Å. Diameter rata-rata partikel pada koordinat kanan kiri dan atas bawah untuk spacer 10 cm adalah 0,1306 m m. Pada koordinat kanan kiri dan atas bawah untuk spacer 15 cm adalah 0,1336 dan m. Perbandingan presentase atom dan perbandingan molaritas untuk spacer 10 cm adalah Sn = 53,68 %, Se = 33,65%, Te = 12,67% dan 1: 0,62: 0,23. Perbandingan presentase atom dan perbandingan molaritas untuk spacer 15 cm adalah Sn = 52.02 %, Se = 33,91 %, Te = 14.07% dan 1: 0,65: 0,27. Hasil tersebut dapat disimpulkan bahwa variasi spacer mempengaruhi kualitas kristal yang terbentuk. Semakin dekat spacer maka kualitas kristalnya semakin baik, karena kemungkinan bahan terdeposisi pada substrat semakin tinggi. . Kata kunci : Lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4), stuktur kristal, teknik evaporasi vakum. Abstract The research aimed to determine the effect of spacer variation of the Sn(Se0,6Te0,4) thin films quality and its characteristic. The Sn(Se0,6Te0,4) thin film growing process was used a vacuum evaporation technique at 10-5 mbarr. Three spacer variations 10 cm, 15 cm, and 25 cm were used on the Sn(Se0,6Te0,4) thin films growing process. These fabricated Sn(Se0,6Te0,4) thin films were characterized by XRD (X-Ray Diffraction) to determine the fabricated crystal structure and its lattice paremeter, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine the surface morphology and EDAX (Energi Dispersive Analysis X-Ray) to determine the fabricated thin films chemical composition. The results showed that the Sn(Se0,6Te0,4) thin films were orthotombic and their lattice parameter were as follows: 10 cm spacer variation yielded a=11,89Å, b= 4,52Å, c= 4,4Å; 15 cm spacer variations yielded a= 11,89Å, b=4,29Å, c= 4,51; and 25 cm spacer variations yielded a=11,62Å, b= 4,57Å, c= 4,64Å. The average diameter of the particles of 10 cm spacer variations for the right-left and topbottom coordinates were as follows 0,1306 m and m The average diameter of 15 cm spacer variations for the right-left and top-bottom coordinates were as follows 0,1336 m. The atoms percentage ratio and the molarity ratio of 10 cm spacer variations were as follows Sn = 53,68 %, Se = 33,65%, Te = 12,67% and 1: 0,62: 0,23. The ratio percentage atoms and the ratio molaritys of 15 cm spacer variations were as follows Sn = 52.02 %, Se = 33,91 %, Te = 14.07%, and 1: 0,65: 0,27.It can be concluded that the spacer variation will afects the formed crystal quality. Small spacer variations will formed better crystal quality, because of its higher depositions probability. Keywords: Sn(Se0,6Te0,4) thin films, crystal structure, vacuum evaporation technique